NEXVOLT
NEXT FUTURE

NEXVOLT源自創辦團隊（跨磊晶、元件、製程、封裝與可靠度等專業）的長期耕耘：自 2005–2013 年聚焦 GaN 材料特性與 AlGaN/GaN 異質磊晶，奠定 應力/缺陷工程（C/Fe/O 深能階控制、AlN spacer、超晶格/梯度緩衝）、p-GaN E-mode 閘極可靠度、D-mode 優化電路（直驅/級聯 cascode 與驅動/保護協同設計）、動態 RDS(on) 抑制與場板電場分散等關鍵能力，並延伸至封裝寄生最小化與近結熱路徑設計。在此基礎上，將 Ga₂O₃-in-GaN 複合/異質層作為中長期的前瞻強化路線，規劃由 650 V 穩健擴展至 1200 V+ 乃至 2000 V，涵蓋 水平（Lateral：p-GaN E-mode／D-mode＋cascode） 與 垂直（Vertical：GaN-on-GaN 設計） 兩大架構，目標同步提升 臨界擊穿場強（Ecrit）、動態穩定度與熱可靠度

 

在產品與授權之外，NEXVOLT亦提供專業教育顧問與技術解決方案：包含課程/模擬設計（GaN/Ga₂O₃、磊晶到可靠度全鏈）、企業內訓與實作輔導、設計評審與良率/失效機制診斷、以及 JEDEC/AEC-Q 可靠度導入與文件化支持。NEXVOLT以 GaN（氮化鎵）量產平台為核心、Ga₂O₃ 為前瞻增益，串聯 磊晶（MOCVD/MBE）→ 設計 → 晶圓製程 → 封裝熱管理 → 可靠度的一條龍工程體系，將材料創新、元件性能、驅動/保護電路與壽命模型落地為可商業化的解決方案，服務快充、資料中心/儲能、車載電源等高成長應用。